制造商型号: | WPT2E33-3/TR |
制造商: | WILLSEMI (韦尔) |
产品类别: | 晶体管IGBT |
商品描述: | 集电极电流Ic:3A 额定功率:3W 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:30V |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | |
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WILLSEMI(韦尔) WPT2E33-3/TR
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WPT2E33-3/TR 规格参数
属性
参数值
制造商型号
WPT2E33-3/TR
制造商
WILLSEMI(韦尔)
商品描述
集电极电流Ic:3A 额定功率:3W 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:30V
额定功率
3W
集电极电流Ic
3A
集射极击穿电压Vce
30V
晶体管类型
PNP
包装方式
编带
库存: 3
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
5 | 0.674708 | 3.37 |
20 | 0.615176 | 12.30 |
100 | 0.555644 | 55.56 |
500 | 0.496112 | 248.06 |
1000 | 0.468331 | 468.33 |