制造商型号： | WNMD2167-6/TR |
制造商： | WILLSEMI (韦尔) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.7A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：21mΩ @ 6.3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：双N沟道 |
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WILLSEMI(韦尔) WNMD2167-6/TR
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WNMD2167-6/TR 规格参数
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制造商型号
WNMD2167-6/TR
制造商
WILLSEMI(韦尔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.7A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：21mΩ @ 6.3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：双N沟道
漏源电压（Vdss）
-20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
5.7A
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
21mΩ @ 6.3A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
900mW
类型
双N沟道
包装方式
编带
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库存： 4806
价格(含增值税)
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WNMD2167-6/TR品牌厂家：WILLSEMI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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