制造商型号: | XNS15N120T |
制造商: | Xiner (芯能半导体) |
产品类别: | 晶体管IGBT |
商品描述: | 栅极阈值电压-VGE(th):6.5V @ 400uA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.5V @ 15V,15A 集电极电流(Ic)(最大值):15A 集射极击穿电压(最大值):1200V 类型:场截止 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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Xiner(芯能半导体) XNS15N120T
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XNS15N120T 规格参数
属性
参数值
制造商型号
XNS15N120T
制造商
Xiner(芯能半导体)
商品描述
栅极阈值电压-VGE(th):6.5V @ 400uA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.5V @ 15V,15A 集电极电流(Ic)(最大值):15A 集射极击穿电压(最大值):1200V 类型:场截止
集电极电流(Ic)(最大值)
15A
集射极击穿电压(最大值)
1200V
类型
场截止
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
2.5V @ 15V,15A
栅极阈值电压-VGE(th)
6.5V @ 400uA
包装方式
管装
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 6.578217 | 6.58 |
10 | 5.813308 | 58.13 |
30 | 5.693108 | 170.79 |
120 | 5.277871 | 633.34 |