制造商型号： | IPB180P04P4L02ATMA2 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IPB180P04P4L02ATMA2
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IPB180P04P4L02ATMA2 中文资料
数据手册PDF
IPB180P04P4L02ATMA2 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 2.6 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 5 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 220 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
下降时间 119 ns
上升时间 28 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 146 ns
典型接通延迟时间 32 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB180P04P4L-02 SP002319828
单位重量 1.600 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1000 | 17.75176 | 17751.76 |
品牌其他型号
IPB180P04P4L02ATMA2品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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