制造商型号： | XNA19N60T |
制造商： | Xiner (芯能半导体) |
产品类别： | 晶体管IGBT |
商品描述： | 栅极阈值电压-VGE(th)：6.5V @ 250uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2V @ 15V,19A 集电极电流（Ic）（最大值）：19A 集射极击穿电压（最大值）：600V 类型：场截止 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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Xiner(芯能半导体) XNA19N60T
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XNA19N60T 规格参数
属性
参数值
制造商型号
XNA19N60T
制造商
Xiner(芯能半导体)
商品描述
栅极阈值电压-VGE(th)：6.5V @ 250uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2V @ 15V,19A 集电极电流（Ic）（最大值）：19A 集射极击穿电压（最大值）：600V 类型：场截止
集电极电流（Ic）（最大值）
19A
集射极击穿电压（最大值）
600V
类型
场截止
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2V @ 15V,19A
栅极阈值电压-VGE(th)
6.5V @ 250uA
包装方式
编带
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.658845 | 6.66 |
| 10 | 5.587548 | 55.88 |
| 30 | 5.041397 | 151.24 |
| 100 | 4.516251 | 451.63 |
| 500 | 4.190661 | 2095.33 |
