制造商型号： | VS5814DS |
制造商： | Vanguard (威兆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：29mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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Vanguard(威兆) VS5814DS
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VS5814DS 规格参数
属性
参数值
制造商型号
VS5814DS
制造商
Vanguard(威兆)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：29mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
55V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
9A
栅源极阈值电压
2.4V @ 250uA
漏源导通电阻
29mΩ @ 6A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
2W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 1.930739 | 1.93 |
| 10 | 1.541729 | 15.42 |
| 30 | 1.375088 | 41.25 |
| 100 | 1.167032 | 116.70 |
| 500 | 1.074478 | 537.24 |
品牌其他型号
VS5814DS品牌厂家：Vanguard
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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