"VSP007N06MS-K"

未分类

"VS1606GS"

未分类

"VS3620GPMC"

未分类

"VSO013N10MS"

未分类

"VSE009NE6MS-G"

未分类

VSO009N06MS-GA

未分类

VS2522AL

未分类

VS6614GS

未分类

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：29mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 30A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：34A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：62mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

暂无

晶体管-FET，MOSFET-射频

暂无

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17A 漏源电压（Vdss）：65V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：125A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：63W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：760mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：94A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：10.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：107W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：43A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：47W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：35mΩ @ 25A,60V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：33A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-40V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A,8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：29mΩ @ 4A,4.5V;47mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道和P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：56A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：7.8mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：29W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：65V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：26mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：32W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：107mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：55A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：115W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：52A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：43A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：19mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：66A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频