制造商型号： | CS2N60FA9H |
制造商： | 华润华晶 (华润华晶) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：24W 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
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华润华晶(华润华晶) CS2N60FA9H
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CS2N60FA9H 规格参数
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制造商型号
CS2N60FA9H
制造商
华润华晶(华润华晶)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：24W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
2A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
4.5Ω @ 1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
24W
类型
N沟道
包装方式
管装
库存： 122
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
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CS2N60FA9H品牌厂家：华润华晶
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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