制造商型号: | JCS6N70BC-262 |
制造商: | 吉林华微 (吉林华微) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tc) 类型:N沟道 |
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吉林华微(吉林华微) JCS6N70BC-262
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JCS6N70BC-262 规格参数
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制造商型号
JCS6N70BC-262
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吉林华微(吉林华微)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tc) 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
700V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
6A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
1.6Ω @ 3A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
120W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
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JCS6N70BC-262品牌厂家:吉林华微
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