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关于hwdz吉林华微

华微电子拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，芯片加工能力为每年330万片，封装资源为24亿只/年。公司在终端设计、工艺制造和产品设计方面拥有多项专利，各系列产品采用IGBT、MOS、双极技术及集成电路等核心制造技术，公司主要生产功率半导体器件及IC，应用于汽车电子、电力电子、光伏逆变、工业控制与LED照明等领域。目前公司已形成IGBT、VDMOS、FRED、SBD、BJT、IPM等为营销主线的系列产品，成为功率半导体器件领域为客户提供解决方案的制造商、LED照明解决方案提供商。

英文全称：hwdz

中文全称：吉林华微

英文简称：hwdz

品牌介绍： 吉林华微hwdz

产品分类
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
JCS4N65RC_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS4N65RC
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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￥1.271432

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￥0.812773

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￥0.785478

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JCS1N70TC-92_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS1N70TC-92
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：18Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.17W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥0.517113

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JCS2N65FC-220MF_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS2N65FC-220MF
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34.06W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥1.153909

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JCS4N65FB_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS4N65FB
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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JCS110N07I_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS110N07I
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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JCS160N08I_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS160N08I
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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JCS650C_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS650C
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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JCS730V_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS730V
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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JCS640F_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS640F
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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JCS24N50WH_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS24N50WH
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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JCS10N70FH-220MF_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS10N70FH-220MF
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.1Ω @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：80W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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JCS4N60FC_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS4N60FC
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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JCS13N50FC_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS13N50FC
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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JCS10N60FT_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS10N60FT
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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JT015N065FED_晶体管-FET，MOSFET-射频
JT015N065FED
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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JCS10N70FH_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS10N70FH
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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JCS19N20C_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS19N20C
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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JCS730C_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS730C
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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JS65R170WM_晶体管-FET，MOSFET-射频
JS65R170WM
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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JCS3910V_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS3910V
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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JCS50N20WT_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS50N20WT
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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JCS630CA_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS630CA
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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￥0.973144

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JCS3AN150AA_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS3AN150AA
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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JCS4N60FC-220MF_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS4N60FC-220MF
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28.4W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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JCS7N80FH_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS7N80FH
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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JCS1404C_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS1404C
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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JCS8N60FC_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS8N60FC
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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JCS13N50CC_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS13N50CC
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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JCS2N60V_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS2N60V
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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JCS10N65ST-S-AR_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS10N65ST-S-AR
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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库存： 有货

国内：1~2 天

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JCS5N50FT-220MF_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS5N50FT-220MF
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.6Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：41W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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库存： 有货

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JCS10N60FT-220MF_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS10N60FT-220MF
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 4.75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：59.8W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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库存： 有货

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JCS3205CH_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS3205CH
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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库存： 有货

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JS65R170FM_晶体管-FET，MOSFET-射频
JS65R170FM
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
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库存： 有货

国内：1~2 天

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JCS10N80FC_晶体管-FET，MOSFET-射频
JCS10N80FC
吉林华微(吉林华微)
授权代理品牌
+1：

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￥3.0694

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￥2.8634

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￥2.6677

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库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数

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