制造商型号： | 14N50L-TQ2-R |
制造商： | TC (德昌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4.5V @ 100uA 漏源导通电阻：500mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
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TC(德昌) 14N50L-TQ2-R
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14N50L-TQ2-R 规格参数
属性
参数值
制造商型号
14N50L-TQ2-R
制造商
TC(德昌)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4.5V @ 100uA 漏源导通电阻：500mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
500V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
14A(Tc)
栅源极阈值电压
4.5V @ 100uA
漏源导通电阻
500mΩ @ 7A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
150W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 289
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
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14N50L-TQ2-R品牌厂家：TC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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