制造商型号: | UT100N03L-TA3-T |
制造商: | TC (德昌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:5.3mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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TC(德昌) UT100N03L-TA3-T
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UT100N03L-TA3-T 规格参数
属性
参数值
制造商型号
UT100N03L-TA3-T
制造商
TC(德昌)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:5.3mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
100A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
5.3mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
100W
类型
N沟道
包装方式
管装
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 2.959911 | 2.96 |
10 | 2.471897 | 24.72 |
30 | 2.270326 | 68.11 |
100 | 2.058146 | 205.81 |
500 | 1.920229 | 960.11 |
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UT100N03L-TA3-T品牌厂家:TC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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