制造商型号： | 3N80L-TF1-T |
制造商： | TC (德昌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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TC(德昌) 3N80L-TF1-T
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3N80L-TF1-T 规格参数
属性
参数值
制造商型号
3N80L-TF1-T
制造商
TC(德昌)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
800V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
3A(Tc)
栅源极阈值电压
4.5V @ 250uA
漏源导通电阻
4.2Ω @ 1.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
25W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 3.363053 | 3.36 |
| 10 | 2.811385 | 28.11 |
| 30 | 2.577987 | 77.34 |
| 100 | 2.344589 | 234.46 |
| 500 | 2.185454 | 1092.73 |
品牌其他型号
3N80L-TF1-T品牌厂家：TC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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