制造商型号： | MTC6601N6 |
制造商： | CY (超音) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.7A,2.7A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA,1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 3.4A,10V;110mΩ @ 2.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.14W 类型：N沟道和P沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
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CY(超音) MTC6601N6
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MTC6601N6 规格参数
属性
参数值
制造商型号
MTC6601N6
制造商
CY(超音)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.7A,2.7A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA,1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 3.4A,10V;110mΩ @ 2.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.14W 类型：N沟道和P沟道
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
3.7A,2.7A
栅源极阈值电压
1.5V @ 250uA,1.2V @ 250uA
漏源导通电阻
55mΩ @ 3.4A,10V;110mΩ @ 2.3A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.14W
类型
N沟道和P沟道
包装方式
编带
库存： 2940
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
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MTC6601N6品牌厂家：CY
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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