制造商型号: | MTDP2004S6R |
制造商: | CY (超音) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 430mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:双P沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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CY(超音) MTDP2004S6R
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MTDP2004S6R 规格参数
属性
参数值
制造商型号
MTDP2004S6R
制造商
CY(超音)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 430mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:双P沟道
漏源电压(Vdss)
-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
500mA
栅源极阈值电压
1.2V @ 250uA
漏源导通电阻
900mΩ @ 430mA,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
300mW
类型
双P沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 0.947832 | 0.95 |
10 | 0.761521 | 7.62 |
30 | 0.681643 | 20.45 |
100 | 0.581986 | 58.20 |
500 | 0.537622 | 268.81 |
品牌其他型号
MTDP2004S6R品牌厂家:CY
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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