制造商型号: | VS6880AT |
制造商: | Vanguard (威兆) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):105A(Tc) 漏源电压(Vdss):68V 栅源极阈值电压:3.9V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):115W(Tc) 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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Vanguard(威兆) VS6880AT
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VS6880AT 规格参数
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参数值
制造商型号
VS6880AT
制造商
Vanguard(威兆)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):105A(Tc) 漏源电压(Vdss):68V 栅源极阈值电压:3.9V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):115W(Tc) 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
68V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
105A(Tc)
栅源极阈值电压
3.9V @ 250uA
漏源导通电阻
8mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
115W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 2.040995 | 2.04 |
10 | 1.629802 | 16.30 |
30 | 1.453545 | 43.61 |
100 | 1.233689 | 123.37 |
500 | 1.13578 | 567.89 |
品牌其他型号
VS6880AT品牌厂家:Vanguard
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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