制造商型号: | SVF5N60D |
制造商: | SILAN (士兰微) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.15Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tc) 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | |
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SILAN(士兰微) SVF5N60D
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SVF5N60D 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SVF5N60D
制造商
SILAN(士兰微)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.15Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tc) 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
5A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
2.15Ω @ 2.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
120W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 569
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
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SVF5N60D品牌厂家:SILAN
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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