制造商型号: | HSCC8233 |
制造商: | HUASHUO (华朔) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:7.2mΩ @ 5.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:双N沟道(共漏) |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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HUASHUO(华朔) HSCC8233
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HSCC8233 规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSCC8233
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:7.2mΩ @ 5.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:双N沟道(共漏)
漏源电压(Vdss)
-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
11A
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
7.2mΩ @ 5.5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
1.56W
类型
双N沟道(共漏)
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
5 | 2.027118 | 10.14 |
50 | 1.659961 | 83.00 |
150 | 1.502609 | 225.39 |
500 | 1.306355 | 653.18 |
3000 | 1.061366 | 3184.10 |
品牌其他型号
HSCC8233品牌厂家:HUASHUO
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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