制造商型号: | HSS2N7002K |
制造商: | HUASHUO (华朔) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):0.3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2Ω @ 0.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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HUASHUO(华朔) HSS2N7002K
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HSS2N7002K 规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSS2N7002K
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):0.3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2Ω @ 0.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
0.3A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
2Ω @ 0.2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
350mW
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
50 | 0.11209 | 5.60 |
500 | 0.090847 | 45.42 |
3000 | 0.072067 | 216.20 |
6000 | 0.064987 | 389.92 |
24000 | 0.058849 | 1412.38 |
品牌其他型号
HSS2N7002K品牌厂家:HUASHUO
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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