制造商型号： | HSS3416E |
制造商： | HUASHUO (华朔) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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HUASHUO(华朔) HSS3416E
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HSS3416E 规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSS3416E
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
6A
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
25mΩ @ 4A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 10 | 0.333763 | 3.34 |
| 100 | 0.268646 | 26.86 |
| 300 | 0.236086 | 70.83 |
| 3000 | 0.20955 | 628.65 |
| 6000 | 0.19021 | 1141.26 |
品牌其他型号
HSS3416E品牌厂家：HUASHUO
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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