制造商型号: | VSE090N10MS |
制造商: | Vanguard (威兆) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:103mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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Vanguard(威兆) VSE090N10MS
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VSE090N10MS 规格参数
属性
参数值
制造商型号
VSE090N10MS
制造商
Vanguard(威兆)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:103mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
14A
栅源极阈值电压
2.4V @ 250uA
漏源导通电阻
103mΩ @ 5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
30W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
5 | 0.875838 | 4.38 |
50 | 0.699389 | 34.97 |
150 | 0.623768 | 93.57 |
500 | 0.529347 | 264.67 |
2500 | 0.487335 | 1218.34 |
品牌其他型号
VSE090N10MS品牌厂家:Vanguard
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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