制造商型号： | HSU0139 |
制造商： | HUASHUO (华朔) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：102W 类型：P沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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HUASHUO(华朔) HSU0139
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HSU0139 规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSU0139
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：102W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
30A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
50mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
102W
类型
P沟道
包装方式
编带
库存： 24
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 2.941498 | 2.94 |
| 30 | 2.838648 | 85.16 |
| 100 | 2.632948 | 263.29 |
| 500 | 2.427248 | 1213.62 |
| 1000 | 2.324398 | 2324.40 |
品牌其他型号
HSU0139品牌厂家：HUASHUO
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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