制造商型号: | 2N65G-TN3-R |
制造商: | TC (德昌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):44W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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TC(德昌) 2N65G-TN3-R
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2N65G-TN3-R 规格参数
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制造商型号
2N65G-TN3-R
制造商
TC(德昌)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):44W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
2A
栅源极阈值电压
1.4V @ 250uA
漏源导通电阻
9.5Ω @ 1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
44W
类型
N沟道
包装方式
编带
品牌其他型号
2N65G-TN3-R品牌厂家:TC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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