制造商型号： | 2N7002KG-AE2-R |
制造商： | TC (德昌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 1mA 漏源导通电阻：2Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
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TC(德昌) 2N7002KG-AE2-R
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2N7002KG-AE2-R 规格参数
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制造商型号
2N7002KG-AE2-R
制造商
TC(德昌)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 1mA 漏源导通电阻：2Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
300mA
栅源极阈值电压
2.5V @ 1mA
漏源导通电阻
2Ω @ 300mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
350mW
类型
N沟道
包装方式
-
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