制造商型号： | HSM4606 |
制造商： | HUASHUO (华朔) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A,-6A 漏源电压（Vdss）：30V,-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 6A,10V;32mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道和P沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多HSM4606价格库存等采购信息！ |
HUASHUO(华朔) HSM4606
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
HSM4606 规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSM4606
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A,-6A 漏源电压（Vdss）：30V,-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 6A,10V;32mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道和P沟道
漏源电压（Vdss）
30V,-30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
7A,-6A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
28mΩ @ 6A,10V;32mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.5W
类型
N沟道和P沟道
包装方式
编带
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 0.987698 | 0.99 |
| 10 | 0.828032 | 8.28 |
| 30 | 0.759604 | 22.79 |
| 100 | 0.691176 | 69.12 |
| 500 | 0.645558 | 322.78 |
品牌其他型号
HSM4606品牌厂家：HUASHUO
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
，可在锐单商城现货采购HSM4606、查询HSM4606代理商； HSM4606价格批发咨询客服；这里拥有
HSM4606中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到
HSM4606替代型号
、
HSM4606数据手册PDF。