制造商型号: | HSW8205 |
制造商: | HUASHUO (华朔) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.6A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 4.3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:双N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多HSW8205价格库存等采购信息! |
HUASHUO(华朔) HSW8205
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
HSW8205 规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSW8205
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.6A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 4.3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:双N沟道
漏源电压(Vdss)
-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
4.6A
栅源极阈值电压
1.5V @ 250uA
漏源导通电阻
28mΩ @ 4.3A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
1.25W
类型
双N沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
10 | 0.316998 | 3.17 |
100 | 0.25763 | 25.76 |
300 | 0.227946 | 68.38 |
1000 | 0.205682 | 205.68 |
5000 | 0.187873 | 939.37 |
品牌其他型号
HSW8205品牌厂家:HUASHUO
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
,可在锐单商城现货采购HSW8205、查询HSW8205代理商; HSW8205价格批发咨询客服;这里拥有
HSW8205中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到
HSW8205替代型号
、
HSW8205数据手册PDF。