制造商型号： | HSBB3058 |
制造商： | HUASHUO (华朔) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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HUASHUO(华朔) HSBB3058
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HSBB3058 规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSBB3058
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
30A
栅源极阈值电压
2.2V @ 250uA
漏源导通电阻
8mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
31W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 1.270951 | 1.27 |
| 10 | 1.027709 | 10.28 |
| 30 | 0.923464 | 27.70 |
| 100 | 0.793429 | 79.34 |
| 500 | 0.735515 | 367.76 |
品牌其他型号
HSBB3058品牌厂家：HUASHUO
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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