制造商型号： | PDS3812 |
制造商： | Potens (博盛半导体) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W(Tc) 类型：双N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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Potens(博盛半导体) PDS3812
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PDS3812 规格参数
属性
参数值
制造商型号
PDS3812
制造商
Potens(博盛半导体)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W(Tc) 类型：双N沟道
漏源电压（Vdss）
-30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
7.5A(Tc)
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
20mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
2.1W(Tc)
类型
双N沟道
包装方式
编带
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 1.503701 | 1.50 |
| 10 | 1.222539 | 12.23 |
| 30 | 1.101965 | 33.06 |
品牌其他型号
PDS3812品牌厂家：Potens
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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