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关于Potens博盛半导体

Potens是一家台湾品牌的半导体公司，其拥有一支非常优秀的研发团队，团队核心成员均为台湾富鼎（APEC)的高层，具有丰富的研发经验。Potens目前致力于电源功率半导体的设计与开发，特别是全系列MOSFET，在业内具有相当高的水准。

英文全称：Potens

中文全称：博盛半导体

英文简称：Potens

品牌介绍： 博盛半导体Potens

产品分类
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
PDN3612S_未分类
PDN3612S
Potens(博盛半导体)
授权代理品牌

"N沟道 30V 5.3A"

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PDC3904Z_未分类
PDC3904Z
Potens(博盛半导体)
授权代理品牌
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PDC8974X_未分类
PDC8974X
Potens(博盛半导体)
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PDH6902_未分类
PDH6902
Potens(博盛半导体)
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"N沟道 60V 114A"

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PDS3807_未分类
PDS3807
Potens(博盛半导体)
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"2个P沟道 30V 7A"

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PDN2313S_未分类
PDN2313S
Potens(博盛半导体)
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"P沟道 20V 4.1A"

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PDC2306Z
Potens(博盛半导体)
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PDS6903_晶体管-FET，MOSFET-射频
PDS6903
Potens(博盛半导体)
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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.1W(Tc) 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥1.937533

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PDP3960_晶体管-FET，MOSFET-射频
PDP3960
Potens(博盛半导体)
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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：176A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：168W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥3.4196

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PDP0980_晶体管-FET，MOSFET-射频
PDP0980
Potens(博盛半导体)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：275W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥6.6229

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￥5.0058

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￥4.7071

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PDP0959_晶体管-FET，MOSFET-射频
PDP0959
Potens(博盛半导体)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：114W(Tc) 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥3.9243

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￥2.9664

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￥2.7913

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PDN6911S_晶体管-FET，MOSFET-射频
PDN6911S
Potens(博盛半导体)
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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：190mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W(Tc) 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥0.422296

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￥0.320882

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￥0.283628

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PDH0980_晶体管-FET，MOSFET-射频
PDH0980
Potens(博盛半导体)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：275W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥5.7989

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￥4.2333

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￥3.9449

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￥3.6565

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PDD3906_晶体管-FET，MOSFET-射频
PDD3906
Potens(博盛半导体)
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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：54W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥1.150304

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￥0.841407

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PDC3906Z_晶体管-FET，MOSFET-射频
PDC3906Z
Potens(博盛半导体)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥1.081706

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￥0.808859

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￥0.758698

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￥0.70864

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￥0.686289

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PDK3908_晶体管-FET，MOSFET-射频
PDK3908
Potens(博盛半导体)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：15.5mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.47W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥1.020421

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￥0.763024

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￥0.715747

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￥0.66847

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￥0.647458

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PDK6912_晶体管-FET，MOSFET-射频
PDK6912
Potens(博盛半导体)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：75mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.79W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥1.141652

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￥0.87138

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￥0.821734

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￥0.772088

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￥0.750046

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PMEN2P7002S_晶体管-FET，MOSFET-射频
PMEN2P7002S
Potens(博盛半导体)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：4Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
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￥0.321545

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￥0.244326

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￥0.230143

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￥0.21596

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￥0.209657

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PDD3908_晶体管-FET，MOSFET-射频
PDD3908
Potens(博盛半导体)
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PDS4810_晶体管-FET，MOSFET-射频
PDS4810
Potens(博盛半导体)
授权代理品牌
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￥1.43788

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￥0.980869

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￥0.878487

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PDC2604Z_晶体管-FET，MOSFET-射频
PDC2604Z
Potens(博盛半导体)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：3.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：66W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥1.327464

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￥1.008679

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PDC3960X_晶体管-FET，MOSFET-射频
PDC3960X
Potens(博盛半导体)
授权代理品牌
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￥2.0909

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￥1.9364

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￥1.8643

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PDC3908X_晶体管-FET，MOSFET-射频
PDC3908X
Potens(博盛半导体)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：54W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥0.973762

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￥0.725223

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￥0.613674

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PDC3906X_晶体管-FET，MOSFET-射频
PDC3906X
Potens(博盛半导体)
授权代理品牌
+1：

￥1.607727

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PDN2312S_晶体管-FET，MOSFET-射频
PDN2312S
Potens(博盛半导体)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.7A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA 漏源导通电阻：24mΩ @ 3A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥0.448941

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￥0.335686

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库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
PDN3611S_晶体管-FET，MOSFET-射频
PDN3611S
Potens(博盛半导体)
授权代理品牌
+1：

￥0.47715

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￥0.308213

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库存： 有货

国内：1~2 天

 暂无参数
PDS6910_晶体管-FET，MOSFET-射频
PDS6910
Potens(博盛半导体)
授权代理品牌

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.66W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频
+1：

￥1.180277

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￥0.757153

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