制造商型号: | SM2660NSCC-TRG |
制造商: | Sinopower (大中) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:48mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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Sinopower(大中) SM2660NSCC-TRG
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请参阅产品规格
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SM2660NSCC-TRG 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SM2660NSCC-TRG
制造商
Sinopower(大中)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:48mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
5A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
48mΩ @ 4A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
2.5W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 1.201363 | 1.20 |
10 | 1.016873 | 10.17 |
30 | 0.93773 | 28.13 |
100 | 0.858692 | 85.87 |
500 | 0.805966 | 402.98 |
品牌其他型号
SM2660NSCC-TRG品牌厂家:Sinopower
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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