连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.2A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：130mΩ @ 2.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：43A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：70mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.7A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：104mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A,2.2A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 2.5A,10V;205mΩ @ 2.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：N沟道和P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：3.2mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：62.5W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：13.5mΩ @ 25A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：52W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A,2A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：N沟道和P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16.2A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10.4mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：41A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：23.5mΩ @ 14A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：59.5W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：32A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：19mΩ @ 10.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：29.8W(Tc) 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.7A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：29mΩ @ 6.8A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：73mΩ @ 3.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.9A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 3.9A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：400mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.2Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：1.9mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：64A,85A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 15A,4.5V;2.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W,83W 类型：双N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

暂无

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.3mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：67A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：32.1W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：95A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：3.6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.2W 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：48mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

暂无

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.3A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：1.3V @ 250uA 漏源导通电阻：56mΩ @ 4.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：70mΩ @ 2.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：830mW 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W 类型：双N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：55A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：52W 类型：P沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

暂无

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5.7mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 4.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：N沟道

晶体管-FET，MOSFET-射频

暂无

晶体管-FET，MOSFET-射频

暂无

晶体管-FET，MOSFET-射频