制造商型号： | WSD3030DN |
制造商： | WINSOK (微硕) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：34A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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WINSOK(微硕) WSD3030DN
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WSD3030DN 规格参数
属性
参数值
制造商型号
WSD3030DN
制造商
WINSOK(微硕)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：34A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
34A(Tc)
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
12mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
25W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 970
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 1.17612 | 1.18 |
| 10 | 1.13256 | 11.33 |
| 100 | 1.028016 | 102.80 |
| 500 | 0.975744 | 487.87 |
品牌其他型号
WSD3030DN品牌厂家：WINSOK
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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