制造商型号: | HSP6016 |
制造商: | HUASHUO (华朔) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):86.8W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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HUASHUO(华朔) HSP6016
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HSP6016 规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSP6016
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):86.8W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
60A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
12mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
86.8W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 3.278181 | 3.28 |
10 | 2.655327 | 26.55 |
50 | 2.393072 | 119.65 |
100 | 2.065254 | 206.53 |
500 | 1.693727 | 846.86 |
品牌其他型号
HSP6016品牌厂家:HUASHUO
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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