制造商型号: | 2SK3018 |
制造商: | CJ (长晶科技) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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CJ(长晶科技) 2SK3018
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2SK3018 规格参数
属性
参数值
制造商型号
2SK3018
制造商
CJ(长晶科技)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
100mA
栅源极阈值电压
1.5V @ 100uA
漏源导通电阻
8Ω @ 10mA,4V
最大功率耗散(Ta=25°C)
200mW
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
20 | 0.171847 | 3.44 |
200 | 0.139394 | 27.88 |
600 | 0.121364 | 72.82 |
3000 | 0.107661 | 322.98 |
9000 | 0.098286 | 884.57 |
品牌其他型号
2SK3018品牌厂家:CJ
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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