制造商型号: | CJQ4435 |
制造商: | CJ (长晶科技) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.1A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:24mΩ @ 9.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道 |
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渠道: | |
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CJ(长晶科技) CJQ4435
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CJQ4435 规格参数
属性
参数值
制造商型号
CJQ4435
制造商
CJ(长晶科技)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.1A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:24mΩ @ 9.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
9.1A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
24mΩ @ 9.1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
1.4W
类型
P沟道
包装方式
编带
库存: 10105
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
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CJQ4435品牌厂家:CJ
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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