制造商型号: | 1N65G |
制造商: | MW (台湾明纬) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | |
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MW(台湾明纬) 1N65G
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1N65G 规格参数
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制造商型号
1N65G
制造商
MW(台湾明纬)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
1A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
11Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
-
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 4685
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1N65G品牌厂家:MW
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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