制造商型号： | BM3415E |
制造商： | BORN (伯恩半导体) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.8A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：P沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多BM3415E价格库存等采购信息！ |
BORN(伯恩半导体) BM3415E
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
BM3415E 规格参数
属性
参数值
制造商型号
BM3415E
制造商
BORN(伯恩半导体)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.8A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
4.8A
栅源极阈值电压
1.2V @ 250uA
漏源导通电阻
45mΩ @ 4A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.5W
类型
P沟道
包装方式
编带
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 10 | 0.363184 | 3.63 |
| 100 | 0.299806 | 29.98 |
| 300 | 0.268117 | 80.44 |
| 3000 | 0.211525 | 634.57 |
| 6000 | 0.192512 | 1155.07 |
品牌其他型号
BM3415E品牌厂家：BORN
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
，可在锐单商城现货采购BM3415E、查询BM3415E代理商； BM3415E价格批发咨询客服；这里拥有
BM3415E中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到
BM3415E替代型号
、
BM3415E数据手册PDF。