制造商型号: | WSP9926B |
制造商: | WINSOK (微硕) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:34mΩ @ 6.8A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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WINSOK(微硕) WSP9926B
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WSP9926B 规格参数
属性
参数值
制造商型号
WSP9926B
制造商
WINSOK(微硕)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:34mΩ @ 6.8A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道
漏源电压(Vdss)
-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
8A
栅源极阈值电压
1.1V @ 250uA
漏源导通电阻
34mΩ @ 6.8A,2.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
2W
类型
双N沟道
包装方式
编带
库存: 2500
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 1.06722 | 1.07 |
30 | 1.029105 | 30.87 |
100 | 0.99099 | 99.10 |
500 | 0.91476 | 457.38 |
1000 | 0.876645 | 876.64 |
品牌其他型号
WSP9926B品牌厂家:WINSOK
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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