制造商型号: | MEM2310M3G |
制造商: | MICRONE (南京微盟) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多MEM2310M3G价格库存等采购信息! |
MICRONE(南京微盟) MEM2310M3G
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
MEM2310M3G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
MEM2310M3G
制造商
MICRONE(南京微盟)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
5.8A
栅源极阈值电压
1.4V @ 250uA
漏源导通电阻
30mΩ @ 5.8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
1.4W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 9655
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
品牌其他型号
MEM2310M3G品牌厂家:MICRONE
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
,可在锐单商城现货采购MEM2310M3G、查询MEM2310M3G代理商; MEM2310M3G价格批发咨询客服;这里拥有
MEM2310M3G中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到
MEM2310M3G替代型号
、
MEM2310M3G数据手册PDF。