制造商型号： | SI2302S |
制造商： | BORN (伯恩半导体) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 1A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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BORN(伯恩半导体) SI2302S
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SI2302S 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI2302S
制造商
BORN(伯恩半导体)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 1A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
3A
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
80mΩ @ 1A,2.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1W
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 295
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 0.154275 | 0.15 |
| 100 | 0.14399 | 14.40 |
| 300 | 0.133705 | 40.11 |
| 500 | 0.12342 | 61.71 |
| 2000 | 0.118278 | 236.56 |
品牌其他型号
SI2302S品牌厂家：BORN
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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