制造商型号： | SI2301 |
制造商： | BORN (伯恩半导体) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：110mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：P沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
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客服： | |
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BORN(伯恩半导体) SI2301
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SI2301 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI2301
制造商
BORN(伯恩半导体)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：110mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
3A
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
110mΩ @ 3A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.25W
类型
P沟道
包装方式
编带
库存： 7712
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 5 | 0.165165 | 0.83 |
| 20 | 0.151553 | 3.03 |
| 100 | 0.13794 | 13.79 |
| 500 | 0.124328 | 62.16 |
| 1000 | 0.117975 | 117.97 |
品牌其他型号
SI2301品牌厂家：BORN
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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