制造商型号： | LP3407LT1G |
制造商： | LRC (乐山无线电) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.1A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：70mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：P沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
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LRC(乐山无线电) LP3407LT1G
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LP3407LT1G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
LP3407LT1G
制造商
LRC(乐山无线电)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.1A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：70mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
4.1A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
70mΩ @ 4.1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.4W
类型
P沟道
包装方式
编带
库存： 2973
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 0.214061 | 0.21 |
| 30 | 0.205894 | 6.18 |
| 100 | 0.197726 | 19.77 |
| 500 | 0.181379 | 90.69 |
| 1000 | 0.173212 | 173.21 |
品牌其他型号
LP3407LT1G品牌厂家：LRC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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