制造商型号: | VSD007N06MS |
制造商: | Vanguard (威兆) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):85A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | |
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Vanguard(威兆) VSD007N06MS
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VSD007N06MS 规格参数
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制造商型号
VSD007N06MS
制造商
Vanguard(威兆)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):85A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
85A(Tc)
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
9mΩ @ 10A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
100W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 387
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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VSD007N06MS品牌厂家:Vanguard
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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