制造商型号: | L2SK801LT1G |
制造商: | LRC (乐山无线电) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):310mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | |
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LRC(乐山无线电) L2SK801LT1G
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L2SK801LT1G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
L2SK801LT1G
制造商
LRC(乐山无线电)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):310mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
310mA
栅源极阈值电压
2.2V @ 250uA
漏源导通电阻
2.5Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
300mW
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 3000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 0.105028 | 0.11 |
30 | 0.101277 | 3.04 |
100 | 0.097526 | 9.75 |
500 | 0.090024 | 45.01 |
1000 | 0.086273 | 86.27 |
品牌其他型号
L2SK801LT1G品牌厂家:LRC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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