制造商型号： | WSD2050DN |
制造商： | WINSOK (微硕) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28W(Tc) 类型：N沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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WINSOK(微硕) WSD2050DN
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WSD2050DN 规格参数
属性
参数值
制造商型号
WSD2050DN
制造商
WINSOK(微硕)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
40A(Tc)
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
14mΩ @ 7A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
28W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
库存： 280
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 1.159785 | 1.16 |
| 10 | 1.11683 | 11.17 |
| 100 | 1.013738 | 101.37 |
| 500 | 0.962192 | 481.10 |
品牌其他型号
WSD2050DN品牌厂家：WINSOK
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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