制造商型号: | L2N7002WT1G |
制造商: | LRC (乐山无线电) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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LRC(乐山无线电) L2N7002WT1G
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L2N7002WT1G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
L2N7002WT1G
制造商
LRC(乐山无线电)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
115mA
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
7.5Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
225mW
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 2894
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
50 | 0.112421 | 5.62 |
150 | 0.095179 | 14.28 |
1000 | 0.077936 | 77.94 |
5000 | 0.071039 | 355.20 |
品牌其他型号
L2N7002WT1G品牌厂家:LRC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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