制造商型号: | WSD3066DN33 |
制造商: | WINSOK (微硕) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5.7mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多WSD3066DN33价格库存等采购信息! |
WINSOK(微硕) WSD3066DN33
![WINSOK(微硕) WSD3066DN33 WINSOK(微硕) WSD3066DN33](https://web.ruidan.com/images/product/default/notfound/nopic.png)
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
WSD3066DN33 规格参数
属性
参数值
制造商型号
WSD3066DN33
制造商
WINSOK(微硕)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5.7mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
50A(Tc)
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
5.7mΩ @ 35A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
45W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
5 | 1.834579 | 9.17 |
50 | 1.513317 | 75.67 |
150 | 1.375634 | 206.35 |
500 | 1.203858 | 601.93 |
2500 | 1.068468 | 2671.17 |
品牌其他型号
WSD3066DN33品牌厂家:WINSOK
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
,可在锐单商城现货采购WSD3066DN33、查询WSD3066DN33代理商; WSD3066DN33价格批发咨询客服;这里拥有
WSD3066DN33中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到
WSD3066DN33替代型号
、
WSD3066DN33数据手册PDF。