制造商型号: | UT3N06G-AE3-R |
制造商: | TC (德昌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-射频 |
商品描述: | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 |
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客服: | |
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TC(德昌) UT3N06G-AE3-R
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UT3N06G-AE3-R 规格参数
属性
参数值
制造商型号
UT3N06G-AE3-R
制造商
TC(德昌)
商品描述
连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
3A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
90mΩ @ 3A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
350mW
类型
N沟道
包装方式
编带
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
5 | 0.494916 | 2.47 |
50 | 0.409969 | 20.50 |
150 | 0.367495 | 55.12 |
500 | 0.335639 | 167.82 |
2500 | 0.310156 | 775.39 |
品牌其他型号
UT3N06G-AE3-R品牌厂家:TC
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-射频
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