制造商型号： | IRLML6401 |
制造商： | MW (台湾明纬) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-射频 |
商品描述： | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.3A 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：950mV @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 4.3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.3W 类型：P沟道 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 |
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客服： | |
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MW(台湾明纬) IRLML6401
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IRLML6401 规格参数
属性
参数值
制造商型号
IRLML6401
制造商
MW(台湾明纬)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.3A 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：950mV @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 4.3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.3W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-12V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
4.3A
栅源极阈值电压
950mV @ 250uA
漏源导通电阻
50mΩ @ 4.3A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.3W
类型
P沟道
包装方式
编带
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 10 | 0.392951 | 3.93 |
| 100 | 0.322081 | 32.21 |
| 300 | 0.286646 | 85.99 |
| 3000 | 0.253359 | 760.08 |
| 6000 | 0.232099 | 1392.59 |
品牌其他型号
IRLML6401品牌厂家：MW
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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