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什么是晶体管-FET,MOSFET-射频:

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

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PD57006S-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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PD55008L-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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PD84010S-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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PD85015STR-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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PD85025STR-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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SD57060-01_晶体管-FET,MOSFET-射频
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供应商器件封装: M250

PD85015TR-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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PD85006TR-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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PD85006TR-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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PD85006L-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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供应商器件封装: PowerFLAT™ (5x5)

PD85006L-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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电压-额定: 40V

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PowerFLAT™ (5x5)

LET9180_晶体管-FET,MOSFET-射频
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供应商器件封装: M246

LET9070CB_晶体管-FET,MOSFET-射频
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LET16060C_晶体管-FET,MOSFET-射频
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LET16045C_晶体管-FET,MOSFET-射频
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LET9060_晶体管-FET,MOSFET-射频
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LET9045_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 960MHz

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封装/外壳: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

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LET9150_晶体管-FET,MOSFET-射频
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封装/外壳: M246

供应商器件封装: M246

LET9060C_晶体管-FET,MOSFET-射频
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封装/外壳: M243

供应商器件封装: M243

SD2933-03_晶体管-FET,MOSFET-射频
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供应商器件封装: M177

PD20010STR-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 2GHz

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PD20010STR-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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PD20010STR-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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STAC2942B_晶体管-FET,MOSFET-射频
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STAC2932B_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 175MHz

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电压-额定: 125V

封装/外壳: STAC244B

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PD84008S-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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PD54003S-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 500MHz

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PD85035C_晶体管-FET,MOSFET-射频
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封装/外壳: M243

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PD20015S-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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PD20010S-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 2GHz

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PD84010-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 870MHz

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电压-额定: 40V

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PD84008-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 870MHz

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电压-额定: 25V

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PD57006TR-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 945MHz

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PD57006TR-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 945MHz

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电压-额定: 65V

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PD54003L-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 500MHz

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封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PowerFLAT™ (5x5)

PD54003L-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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系列: -

频率: 500MHz

安装类型: -

电压-额定: 25V

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PowerFLAT™ (5x5)

SD2941-10R_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 175MHz

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电压-额定: 130V

封装/外壳: M174

供应商器件封装: M174

SD2932B_晶体管-FET,MOSFET-射频
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系列: -

频率: 175MHz

安装类型: -

电压-额定: 125V

封装/外壳: M244

供应商器件封装: M244

PD57070S_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 945MHz

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供应商器件封装: 10-PowerSO

PD57060STR-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 945MHz

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电压-额定: 65V

封装/外壳: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

供应商器件封装: PowerSO-10RF (Straight Lead)

PD57045S-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 945MHz

安装类型: -

电压-额定: 65V

封装/外壳: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

供应商器件封装: PowerSO-10RF (Straight Lead)

PD57045S_晶体管-FET,MOSFET-射频
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厂家: -

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频率: 945MHz

安装类型: -

电压-额定: 65V

封装/外壳: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

供应商器件封装: 10-PowerSO

PD57030_晶体管-FET,MOSFET-射频
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系列: -

频率: 945MHz

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电压-额定: 65V

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供应商器件封装: 10-PowerSO

PD57018S_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 945MHz

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电压-额定: 65V

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供应商器件封装: 10-PowerSO

PD57018_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 945MHz

安装类型: -

电压-额定: 65V

封装/外壳: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

供应商器件封装: 10-PowerSO

PD57006S_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 945MHz

安装类型: -

电压-额定: 65V

封装/外壳: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

供应商器件封装: 10-PowerSO

PD57006-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 945MHz

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电压-额定: 65V

封装/外壳: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

供应商器件封装: PowerSO-10RF (Formed Lead)

PD57002S-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 960MHz

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电压-额定: 65V

封装/外壳: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

供应商器件封装: PowerSO-10RF (Straight Lead)

PD57002_晶体管-FET,MOSFET-射频
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频率: 960MHz

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电压-额定: 65V

封装/外壳: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

供应商器件封装: 10-PowerSO

PD55025STR-E_晶体管-FET,MOSFET-射频
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电压-额定: 40V

封装/外壳: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

供应商器件封装: PowerSO-10RF (Straight Lead)